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GaN和SiC材料的技術(shù)難點和特點

文章出處:來源自網(wǎng)絡(luò)網(wǎng)責任編輯:作者:來自網(wǎng)絡(luò)人氣:-發(fā)表時間:2021-11-29 14:59:00【

目前,第三代半導體材料GaN和SiC已經(jīng)得到了市場認可和高度關(guān)注。在功率半導體的范疇,業(yè)內(nèi)人士認為,除了LED發(fā)光和射頻,第三代半導體材料SiC的技術(shù)難點主要在于襯底缺陷的控制。當前低缺陷密度的襯底材料主要是歐美及日本廠商生產(chǎn),國內(nèi)想要突破還需要相當長的一段時間。

同時第三代半導體材料SiC工藝控制難度高、產(chǎn)品批次性波動大導致良率偏低以及主要材料供應(yīng)被壟斷,甚至推導到市場價格一直居高不下,目前只限定在部分應(yīng)用市場。但相比SiC更低損耗、更高效率以及高電壓耐高溫等一系列自身特點而言,第三代半導體材料SiC的應(yīng)用已經(jīng)開始改變更多行業(yè)。

與SiC不同,GaN相對比較復雜。GaN并不是真正意義上的MOSFET,而是HEMT(高電子遷移率晶體管),其開關(guān)特性具有MOSFET相近的功能。GaN HEMT是平面導電結(jié)構(gòu),不依賴于襯底,可以在藍寶石或者硅襯底上都能實現(xiàn),但它難以實現(xiàn)常閉型器件。珠海鎵未來科技有限公司(簡稱“鎵未來”)市場總監(jiān)張大江認為,解決方案有兩種:一種是在柵極加入P型摻雜,阻斷二維電子氣,實現(xiàn)常閉功能;另一種是在源極串聯(lián)低壓MOSFET,通過控制低壓MOSFET來提供GaN柵極的負壓關(guān)斷,其好處是MOSFET的驅(qū)動抗干擾能力強。

除此之外,第三代半導體材料GaN目前的技術(shù)難點還來自于其他多方面。工藝的難度上,GaN材料面臨器件良率與一致性以及可靠性等問題的挑戰(zhàn);對于氮化鎵企業(yè)來說,怎么能完善測試內(nèi)容與流程用最快最準確的方式替客戶篩查出工作良好的器件;GaN的高耐熱,耐高頻,低Vth等特性注定了它與傳統(tǒng)硅器件不一樣的封裝方向;同時應(yīng)用上,第三代半導體材料GaN的加入顛覆了傳統(tǒng)的電源行業(yè),新的電源行業(yè)對PWM控制芯片、變壓器產(chǎn)商等都有了更高的要求。 

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