當(dāng)前，國內(nèi)廠商碳化硅襯底生產(chǎn)的技術(shù)指標(biāo)與國際主流廠商相比仍有明顯差距。碳化硅襯底正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展，目前行業(yè)內(nèi)公司主要量產(chǎn)襯底尺寸集中在4英寸及6英寸。在最新技術(shù)研發(fā)儲備上，以行業(yè)領(lǐng)先者WolfSpeed公司的研發(fā)進(jìn)程為例，WolfSpeed公司已成功研發(fā)8英寸產(chǎn)品。為提高生產(chǎn)效率并降低成本，大尺寸是碳化硅襯底制備技術(shù)的重要發(fā)展方向，襯底尺寸越大，單位襯底可制造的芯片數(shù)量越多，單位芯片成本越低；襯底的尺寸越大，邊緣的浪費(fèi)就越小，有利于進(jìn)一步降低芯片的成本。由于現(xiàn)有的6英寸的硅晶圓產(chǎn)線可以升級改造用于生產(chǎn)SiC器件，所以6英寸SiC襯底的高市占率將維持較長時(shí)間。目前我國市場上使用的碳化硅襯底一般為4英寸，可生產(chǎn)6英寸碳化硅襯底的企業(yè)，全國不足10家。

碳化硅襯底制備主要有以下技術(shù)難點(diǎn)：（1）碳化硅單晶的制備對于溫度場設(shè)計(jì)。適宜的溫度場是制備碳化硅單晶的基礎(chǔ)，不適宜的溫度場極易導(dǎo)致單晶開裂等問題。此外，隨著碳化硅襯底直徑的增加，溫度場的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)難度也在增加。（2）降低結(jié)晶缺陷密度。襯底中結(jié)晶缺陷（如：微管、穿透性螺位錯(cuò)（TSD）、基平面位錯(cuò)（BPD））會對器件造成負(fù)面影響。由于碳化硅較高的生長溫度，為降低結(jié)晶缺陷密度，傳統(tǒng)的工藝條件（如掩膜法）已經(jīng)不能滿足低結(jié)晶缺陷密度單晶的生長，勢必需要導(dǎo)入新工藝，增加工藝復(fù)雜性，這會推高單晶成本。因此，需要投入較長的時(shí)間及較大的物料成本研發(fā)新工藝，較長的研發(fā)周期可能會阻礙襯底單位面積成本的下降，且隨著單晶生長厚度的增加，單晶殘余內(nèi)應(yīng)力迅速增加，這會導(dǎo)致單晶結(jié)晶質(zhì)量下降甚至導(dǎo)致單晶開裂等問題，如何有效兼顧單晶可用厚度及單晶結(jié)晶質(zhì)量存在較大難度。

襯底主要的三個(gè)幾何參數(shù)為TTV（總厚度偏差）、Bow（彎曲度）及Wrap（翹曲度），國內(nèi)廠商與國外領(lǐng)先廠商仍存在明顯差距。此外，產(chǎn)品的一致性問題是難以攻克的短板，國產(chǎn)襯底目前較難進(jìn)入主流供應(yīng)鏈。具體來說，國產(chǎn)襯底技術(shù)短板以及一致性問題主要包含兩個(gè)方面：（1）由于國內(nèi)廠商起步相對較晚，在材料匹配、設(shè)備精度和熱場控制等技術(shù)角度需要長時(shí)間的專門知識累積；（2）國內(nèi)廠商的客戶較少且比較分散，客戶的反饋速度更慢，反饋內(nèi)容不徹底。相比較起來，WolfSpeed的產(chǎn)品線覆蓋襯底、外延、器件乃至模組，后端反饋充分且及時(shí)。因此，國內(nèi)廠商的技術(shù)差距直接導(dǎo)致襯底綜合性能較差，無法用于要求更高的產(chǎn)線中；一致性問則表示優(yōu)質(zhì)襯底比例較低，直接導(dǎo)致襯底的成本大幅上升，上述兩點(diǎn)導(dǎo)致國內(nèi)廠商制造的襯底還無法進(jìn)入主流供應(yīng)鏈。