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固態(tài)超高頻碳化硅感應(yīng)加熱電源項(xiàng)目

文章出處:原創(chuàng)網(wǎng)責(zé)任編輯:劉坤尚作者:劉坤尚人氣:-發(fā)表時(shí)間:2015-09-30 15:36:00【

   相比目前固態(tài)感應(yīng)加熱電源使用的硅MOSFET,碳化硅功率器件具有寬禁帶、高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn),且門極驅(qū)動(dòng)功率小,在高溫、高頻和大功率場(chǎng)合應(yīng)用有明顯優(yōu)勢(shì);碳化硅功率器件在電力電子產(chǎn)品中的應(yīng)用已成為當(dāng)今的研究熱點(diǎn),其優(yōu)良的特性使固態(tài)感應(yīng)加熱電源的工作頻率得到大幅度提升。研發(fā)頻率高于1MHz的固態(tài)超高頻碳化硅感應(yīng)加熱電源,使固態(tài)感應(yīng)加熱電源的工作頻率范圍大幅度提高,可滿足半導(dǎo)體區(qū)熔加熱、精密金屬器件熱處理等高端領(lǐng)域的應(yīng)用,且能耗更小,效率更高,基本實(shí)現(xiàn)零污染排放。
   采用
碳化硅MOSFET器件實(shí)現(xiàn)超高頻碳化硅MOSFET逆變功率單元,每個(gè)單元功率為50KW,多個(gè)功率單元可并聯(lián)組成大功率設(shè)備;固態(tài)碳化硅超高頻設(shè)備工作頻率在1MHz以上,大功率輸出,可滿足精密熱處理行業(yè)使用要求;固態(tài)碳化硅超高頻設(shè)備采用智能數(shù)字化逆變控制技術(shù),使用先進(jìn)的DSP+FPGA處理器架構(gòu),滿足對(duì)超高頻設(shè)備的控制要求。

此文關(guān)鍵字:碳化硅
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