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揭密碳化硅納米材料的發(fā)展

文章出處:原創(chuàng)網(wǎng)責(zé)任編輯:胡尊芳作者:黃丹丹人氣:-發(fā)表時(shí)間:2017-07-14 17:44:00

  碳化硅納米材料會(huì)如何發(fā)展?金蒙新材料為您解答;

  碳化硅納米材料具有高的禁帶寬度,高的臨界擊穿電場(chǎng)和熱導(dǎo)率,小的介電常數(shù)和較高的電子飽和遷移率,以及抗輻射能力強(qiáng),機(jī)械性能好等特性,成為制作高頻、大功率、低能耗、耐高溫和抗輻射器件的電子和光電子器件的理想材料。碳化硅 納米線表現(xiàn)出的室溫光致發(fā)光性,使其成為制造藍(lán)光發(fā)光二極管和激光二極管的理想材料。
  近年來(lái)的研究表明:微米級(jí)SiC晶須已被應(yīng)用于增強(qiáng)陶瓷基、金屬基和聚合物基復(fù)合材料,這些復(fù)合材料均表現(xiàn)出良好的機(jī)械性能,可以想象用強(qiáng)度硬度更高及長(zhǎng)徑比更大的碳化硅 一維納米材料作為復(fù)合材料的增強(qiáng)相,將會(huì)使其性能得到進(jìn)一步增強(qiáng)。碳化硅一維納米材料具有閾值場(chǎng)強(qiáng)低,電流密度大,高溫穩(wěn)定性好等優(yōu)異特點(diǎn)可望作為電場(chǎng)發(fā)射材料,利用這一特性可制成第三代新型電子光源,并將在圖像顯示技術(shù)方面發(fā)揮巨大作用。隨著研究的深入,研究者還發(fā)現(xiàn)一維SiC納米結(jié)構(gòu)在儲(chǔ)氫、光催化和傳感等領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用前景。
  我們生產(chǎn)的碳化硅日標(biāo)國(guó)標(biāo)均可,根據(jù)用戶訂單生產(chǎn),歡迎您的選購(gòu)!
 
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