在苛刻的工業(yè)環(huán)境中，該碳化硅替代材料能夠提高傳感器技術(shù)的穩(wěn)定性能。　　
格里菲斯大學(xué)的昆士蘭微型和納米技術(shù)研究中心的研究人員將碳化硅沉積在硅片上，用來(lái)測(cè)試硅和碳化硅材料之間性能的差異。　　
該項(xiàng)研究發(fā)現(xiàn)刊登在最新一期的化學(xué)材料科學(xué)期刊上，詳細(xì)地介紹了動(dòng)力電氣設(shè)備中利用傳感器技術(shù)使用碳化硅的優(yōu)點(diǎn)。
格里菲斯大學(xué)Dzung Dao博士和一位首席研究員表示，盡管硅材料是目前傳感器技術(shù)中主要應(yīng)用的材料，但其不耐高溫以及無(wú)法適應(yīng)苛刻的工業(yè)環(huán)境?！　?br /> 然而，碳化硅在機(jī)械強(qiáng)度 、耐腐蝕性、導(dǎo)熱性能和電子穩(wěn)定性方面均有所提高，將會(huì)使其成為更具有利用價(jià)值的材料。
Dzung Dao博士表示碳化硅會(huì)成為高性能傳感器材料，應(yīng)用于深層石油和煤炭開(kāi)發(fā)的領(lǐng)域?！　?br /> 昆士蘭州微型和納米技術(shù)材料研究中心的Sima Dimitrijev教授表示，設(shè)備型碳化硅材料在低溫條件下，在硅片上生成為6英寸厚度。