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碳化硅材料在軍用方面取得重大突破

文章出處:原創(chuàng)網(wǎng)責(zé)任編輯:劉坤尚作者:劉坤尚人氣:-發(fā)表時間:2015-07-15 14:02:00【

  近日,我國自主研制的4英寸高純半絕緣碳化硅(SiC)襯底產(chǎn)品面世。中國電子材料行業(yè)協(xié)會組織的專家認(rèn)為,該成果國內(nèi)領(lǐng)先,已達(dá)到國際先進(jìn)水平。
 
碳化硅基微波功率器件具有高頻、大功率和耐高溫的特性,是新一代雷達(dá)系統(tǒng)的核心。
  長期以來,
碳化硅基微波功率器件的核心材料高純半絕緣碳化硅襯底產(chǎn)品生產(chǎn)、加工難度大,一直是國內(nèi)空白,國際上只有少數(shù)國家掌握該技術(shù),并一直對我國進(jìn)行技術(shù)封鎖和產(chǎn)品禁運。
  據(jù)了解,
碳化硅基微波器件作為當(dāng)今世界最為理想的微波器件,其功率密度是現(xiàn)有微波器件的10倍,將成為下一代雷達(dá)技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)。美軍干擾機(jī)和“宙斯盾”驅(qū)逐艦的相控陣?yán)走_(dá)已開始換裝碳化硅基微波器件產(chǎn)品,軍用市場將在未來幾年推動碳化硅基微波器件的快速發(fā)展。
  可以說,研制高純半絕緣
碳化硅襯底材料是我國新一代雷達(dá)系統(tǒng)獲得突破的核心課題之一。
  項目研發(fā)者表示,4英寸高純半絕緣
碳化硅半導(dǎo)體材料的研制成功使我國擁有了自主可控的重要戰(zhàn)略半導(dǎo)體材料,它將是新一代雷達(dá)、衛(wèi)星通訊、通訊基站的核心,并將在機(jī)載雷達(dá)系統(tǒng)、地面雷達(dá)系統(tǒng)、艦載雷達(dá)系統(tǒng)以及彈載雷達(dá)系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)應(yīng)用。

此文關(guān)鍵字:碳化硅
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