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碳化硅功率器件相關(guān)標準立項通過

文章出處:粉體網(wǎng)網(wǎng)責任編輯:作者:山川人氣:-發(fā)表時間:2022-03-18 15:54:00【

據(jù)中國粉體網(wǎng)訊近期,由江蘇宏微科技有限公司、重慶大學聯(lián)合牽頭,泰克科技(中國)有限公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、北京海瑞克科技發(fā)展有限公司、廣州電網(wǎng)有限公司電力科學研究院等單位聯(lián)合提交的《碳化硅MOSFET開關(guān)運行條件下閾值穩(wěn)定性測試方法》團體標準提案,經(jīng)CASA標準化委員會(CASAS)管理委員會審核,根據(jù)《CASA管理和標準制修訂細則》,上述團體標準提案立項通過,分配編號為:CASA024。

《碳化硅MOSFET開關(guān)運行條件下閾值穩(wěn)定性測試方法》規(guī)定了碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管(SiCMOSFET)開關(guān)運行條件下閾值穩(wěn)定性測試方法,評價器件在承受規(guī)定動態(tài)柵極應力的條件下是否符合規(guī)定的閾值電壓變化量。該方法是使器件重復承受柵極正偏壓和柵極負偏壓,以加速器件柵氧界面的老化并加速器件閾值電壓的變化,從而衡量碳化硅MOSFET的閾值穩(wěn)定性。

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