碳化硅優(yōu)點(diǎn)很多，但是目前也僅僅是一個(gè)小汽車應(yīng)用場景上使用，還是無法大規(guī)模替代硅功率器件，業(yè)內(nèi)從技術(shù)和產(chǎn)業(yè)角度來理解有以下這些問題。

首先碳化硅這種材料，在自然界是沒有的，必須人工合成，結(jié)果必然是成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于可以自然開采的材料，而且碳化硅升華熔點(diǎn)約2700度，且沒有液態(tài)，只有固態(tài)和氣態(tài)，因此注定不能用類似拉單晶的切克勞斯基法（CZ法）制備，因此第一步晶體生長技術(shù)卡住了第一步也是最關(guān)鍵的一步，導(dǎo)致原材料價(jià)格過于昂貴。

因此碳化硅6英寸襯底高達(dá)1000美金，而6英寸硅片為23美金（150元），兩者實(shí)在差太多了。

缺乏高效長晶技術(shù)導(dǎo)致襯底片成本過于高昂，第二器件工藝還不是很完善，同時(shí)專用設(shè)備也不是很完善，又貴又少，導(dǎo)致FAB廠產(chǎn)能還沒有完全擴(kuò)出來，總之就是量太小，襯底價(jià)格高，工藝不成熟，導(dǎo)致碳化硅器件太貴，制約了大規(guī)模應(yīng)用，只能在小眾高端領(lǐng)域使用。