隨著碳化硅單晶和外延材料技術(shù)的進步，各種類型的碳化硅器件被開發(fā)出來。碳化硅器件主要包括二級管和開關(guān)管。在過去的十五到二十年中，碳化硅電力電子器件領(lǐng)域取得了令人矚目的成就，所研發(fā)的碳化硅器件的性能指標遠超當前硅基器件，并且成功實現(xiàn)了部分碳化硅器件的產(chǎn)業(yè)化，在一些重要的能源領(lǐng)域開始逐步取代硅基電力電子器件，并初步展現(xiàn)出其巨大的潛力。

　　碳化硅電力電子器件的持續(xù)進步將對電力電子技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展起到革命性的推動作用。碳化硅二級管主要包括肖特基勢壘二級管及其新型結(jié)構(gòu)和pin型二級管。碳化硅開關(guān)管的種類較多，具有代表性的開關(guān)管有金屬氧化物半導體場效應(yīng)開關(guān)管、結(jié)型場效應(yīng)開關(guān)管、絕緣柵雙極開關(guān)管三種。

　　隨著碳化硅電力電子器件的技術(shù)進步，目前碳化硅器件相對于硅器件，不僅有性能的巨大優(yōu)勢，在系統(tǒng)成本上的優(yōu)勢也逐漸