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碳化硅在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

文章出處:原創(chuàng)網(wǎng)責(zé)任編輯:劉坤尚作者:彭國(guó)臣人氣:-發(fā)表時(shí)間:2014-10-19 16:48:00【

  近年來(lái),我國(guó)逐步實(shí)現(xiàn)了碳化硅功率器件的國(guó)產(chǎn)化,作為有較廣開(kāi)展?jié)摿Φ男率桨雽?dǎo)體材料的碳化硅,受到越來(lái)越多的企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)的認(rèn)可,并通過(guò)相關(guān)企業(yè)的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。
  眾所周知,目前市場(chǎng)上所采用的功率模塊中的IGBT芯片等大多數(shù)都是采用硅材料制造的,與Si相比,碳化硅材料的禁帶寬度是Si的3-5倍,臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度更是Si的10倍以上,電子飽和速率也是Si的2倍。
  因而與傳統(tǒng)的Si功率器件相比,利用碳化硅微粉材料制作而成的功率器件具有關(guān)斷拖尾電流極小、開(kāi)關(guān)速度快、損耗低、耐高溫的特性。
  同時(shí),由于采用SIC功率器件開(kāi)發(fā)電力電子變流器,能提高功率密度,縮小裝置體積;提升變流器效率;提高開(kāi)關(guān)頻率,縮小濾波器體積;確保高溫環(huán)境下運(yùn)行的可靠性;還易于實(shí)現(xiàn)高電壓大功率的設(shè)計(jì)。因此碳化硅功率器件被越來(lái)越多地廣泛用于節(jié)能、高頻和高溫等三大電力電子系統(tǒng)領(lǐng)域。


此文關(guān)鍵字:碳化硅
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