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- 一張圖:碳化硅這樣提純,能行嗎?[ 07-15 15:40 ]
- 碳化硅耐磨陶瓷膠粘涂層技術(shù)優(yōu)點[ 06-09 16:47 ]
- 碳化硅耐磨陶瓷膠粘涂層技術(shù)具有如下優(yōu)點: 1、可現(xiàn)場施工,而且施工方法簡單,易于造形,厚度可控制,因此適用范圍廣泛。 2、高附著力,涂層可靠性高,使用壽命長。 3、涂層硬度高,7H左右,致密耐磨,表面光滑,可打磨加工。 4、有多種防護(hù)功效,應(yīng)用范圍相當(dāng)廣泛。既用于各種裝備構(gòu)件的防護(hù)(密封防滲漏,抗磨,防腐,電絕緣),也可用于各種結(jié)構(gòu)件的修理,達(dá)到修舊利廢的目的。 5、涂層有一定的自潤滑功能,摩擦系數(shù)相對較低,越磨越光滑,耐磨性能良好。 6、涂層本身不燃,具有良好的阻燃功效。
- 氮化硅/碳化硅復(fù)合陶瓷材料[ 05-17 16:02 ]
- 氮化硅/碳化硅復(fù)合陶瓷材料是一種特殊的碳化硅制品,20世紀(jì)70年代被廣泛應(yīng)用于磨具磨料以及電陶瓷行業(yè),上世紀(jì)80年代我國將該材料進(jìn)行引入。 氮化硅和碳化硅的密度相近,當(dāng)柱狀的氮化硅穿插在碳化硅顆粒之間并發(fā)生燒結(jié),產(chǎn)生的增韌和強化作用遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于單一材料性能。氮化硅陶瓷的脆性較大,可以與碳化硅材料復(fù)合改善脆性,提升斷裂韌性;而且碳化硅材料的熱穩(wěn)定性與抗氧化能力在與氮化硅復(fù)合之后也能得到改善。 氮化硅/碳化硅復(fù)合陶瓷材料莫氏硬度為9左右,僅次于金剛石;常溫強度高并且在1200-1400℃時此材料的強度和硬度可以
- 在單晶生長方面SiC晶體制備的兩個難點[ 05-08 08:34 ]
- 與傳統(tǒng)的單晶硅使用提拉法制備不同,目前規(guī)?;LSiC單晶主要采用物理氣相輸運法(PVT)或籽晶的升華法。這也就帶來了SiC晶體制備的兩個難點: 1、生長條件苛刻,需要在高溫下進(jìn)行。一般而言,SiC氣相生長溫度在2300℃以上,壓力350MPa,而硅僅需1600℃左右。高溫對設(shè)備和工藝控制帶來了極高的要求,生產(chǎn)過程幾乎是黑箱操作難以觀測。如果溫度和壓力控制稍有失誤,則會導(dǎo)致生長數(shù)天的產(chǎn)品失敗。 2、生長速度慢。PVT法生長SiC的速度緩慢,7天才能生長2cm左右。而硅棒拉晶2-3天即可拉出約2m長的8英
- 一圖搞懂碳化硅——起源篇[ 05-01 17:21 ]