推薦產(chǎn)品
聯(lián)系金蒙新材料
- 精密研磨與拋光的特點[ 09-18 11:51 ]
- 精密研磨與拋光研磨加工的主要特點如下：
- 有用的碳化硅粉塵[ 09-16 17:55 ]
- 碳化硅微粉塵符合tj36-79中“其他粉塵”條件，即游離二氧化硅含量在10%以下，因此濃度標(biāo)準(zhǔn)可定為10mg/m3。車間空氣中生產(chǎn)性粉塵最高容許濃度(tj36-79) 有害物名稱 最高容許濃度(mg/m3)，含有10%以上游離二氧化硅的粉塵(石英，石英巖等)① 2.0，石粉塵及含有10%以上石棉的粉塵 2.0，含有10%以下的游離二氧化硅的滑石粉塵 4.0，玻璃棉及礦渣棉粉塵 5.0，含有10%以下游離二氧化硅的水泥粉塵 6.0，煙草及茶葉粉塵 3.0，含有10%以下游離二氧化硅的煤塵 10，其他粉塵② 10，鋁，氧化鋁，鋁合金粉塵 4.0，有80%以上游離二氧化硅的生產(chǎn)性粉塵，宜不超過1 mg/m3。其他粉塵系指游離二氧化硅含量在10%以下，不含有毒物質(zhì)的礦物性和動植物性粉塵。
- 碳化硅的新應(yīng)用[ 09-14 17:28 ]
- 碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，也是目前發(fā)展最為成熟的第三代半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)良的熱學(xué)、力學(xué)、化學(xué)和電學(xué)性質(zhì)，不但是制作高溫、高頻、大功率電子器件的最佳材料之一，同時又可以用作基于氮化鎵的藍光發(fā)光二極管的襯底材料，可廣泛應(yīng)用在電力電子領(lǐng)域、微波器件領(lǐng)域和LED光電子領(lǐng)域，使用碳化硅可以承受更高電源、更大電路、耗盡層可以做的更薄，因而工作速度更快、器件體積更小、重量更輕。
- 我國碳化硅行業(yè)的狀況[ 09-12 17:57 ]
- 我國碳化硅冶煉生產(chǎn)工藝、技術(shù)裝備和單噸能耗達到世界領(lǐng)先水平。黑、綠碳化硅原塊的質(zhì)量水平也屬世界級。我國碳化硅與世界先進水平的差距主要集中在四個方面：一是在生產(chǎn)過程中很少使用大型機械設(shè)備，很多工序依靠人力完成，人均碳化硅產(chǎn)量較低;二是在碳化硅深加工產(chǎn)品上，對粒度砂和微粉產(chǎn)品的質(zhì)量管理不夠精細(xì)，產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性不夠;三是某些尖端產(chǎn)品的性能指標(biāo)與發(fā)達國家同類產(chǎn)品相比有一定差距;四是冶煉過程中一氧化碳直接排放。國外主要企業(yè)基本實現(xiàn)了封閉冶煉，而我國碳化硅冶煉幾乎全部是開放式冶煉。
- 碳化硅無介質(zhì)破碎加工[ 09-11 16:51 ]
- 在加工破碎碳化硅過程中，由于碳化硅的高硬度造成破碎機機體嚴(yán)重磨損，使產(chǎn)品中帶入的機械“鐵”特別多，造成了“鐵”污染，受污染的破碎料，必須經(jīng)酸洗處理掉“鐵”后，才能應(yīng)用，不但加工費用高，物料損失量大，受加工工藝因素的制約，影響加工生產(chǎn)量，而且對環(huán)境還會造成嚴(yán)重的危害。金屬鐵及其氧化物，在非金屬材料中，是百害而無一利的有害元素，在碳化硅材料中，也有著極其嚴(yán)格的限量指標(biāo)，超指標(biāo)就為廢品。
