SiC外延生長常見元素
SiC外延生長：常見元素
襯底：
•用于電力電子的4H多型
•當前晶圓直徑150mm和200mm
•定向4°離軸
•雙面拋光
•在晶片的硅面上生長的外延
•需要對硅表面進行仔細的化學(xué)機械拋光(cmp)以減少缺陷
生長參數(shù)：
•溫度~1650oC
•壓力~50-100mbar
•硅源
•碳源
•摻雜氣體
•C/Si比率——用于摻雜控制
•涂層石墨
外延片表征：
•厚度-目標和均勻度
•摻雜-目標和均勻度
•缺陷（表面缺陷、位錯缺陷）
•晶圓形狀（弓形等）
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