碳化硅導通損耗和開關損耗優(yōu)勢明顯。就電動汽車逆變器而言，功率器件是核心能量轉(zhuǎn)換單元，其損耗包含兩部分，導通損耗Econ和開關損耗Esw。

碳化硅在電流比較小也就是輕載的工況下導通損耗優(yōu)勢是比較明顯的，再結合輕載工況開關損耗占比更大（碳化硅開關損耗也低），這也印證了為什么碳化硅更適合城市工況。因此逆變器應用碳化硅MOS體現(xiàn)在效率Map上就是高效區(qū)面積比較大。

另外，碳化硅MOS打開時雙向?qū)ǎ忠?guī)避了IGBT模塊在續(xù)流時，F(xiàn)RD的導通壓降比IGBT大的問題，進一步降低導通損耗。

碳化硅可降低整車能耗。根據(jù)海外機構試驗數(shù)據(jù)，按照WLTC工況（更接近實際城市工況）續(xù)航能力的提升，基于750VIGBT模塊及1200V碳化硅模塊仿真顯示，400V母線電壓下，由750VIGBT模塊替換為1200V碳化硅模塊，整車能耗降低6.9%；如果電壓提升至800V，整車能耗將進一步降低7.6%。

碳化硅除了有效率優(yōu)勢外，還具有以下優(yōu)勢：

相同電壓、電流等級情況下，碳化硅MOS芯片面積比IGBT芯片要小，設計出的功率模塊功率密度更大，更小巧；

碳化硅芯片耐更高的溫度，理論上遠超175℃；

高頻電源設計能夠縮小系統(tǒng)儲能器件的體積，例如大電感及大容量電容等。