碳化硅(SiC)材料具有尺寸穩(wěn)定性好、彈性模量大、比剛度大、導熱性能好和耐腐蝕等性能，廣泛應用于半導體、光學鏡面、機械密封等現(xiàn)代工業(yè)領域，許多領域往往對其表面加工質量有較高的要求，SiC的表面平坦化質量直接影響制件性能，決定了制件的成品率。隨著SiC的應用和發(fā)展逐步廣泛和深入，其加工精度要求日益增長。但SiC屬于典型的脆硬性材料，其平坦化加工時在力的作用下易產(chǎn)生微裂紋，亞表層缺陷多，使得該材料面臨加工效率低、加工困難及加工成本居高不下等問題，制約了其大規(guī)模應用和推廣。

目前SiC材料加工工藝主要有以下幾道工序：定向切割、晶片粗磨、精研磨、機械拋光和化學機械拋光（精拋）。其中化學機械拋光作為最終工序，其工藝方法選擇、工藝路線排布和工藝參數(shù)優(yōu)化直接影響拋光效率和加工成本。傳統(tǒng)化學機械拋光按照磨料存在狀態(tài)可分為游離磨料拋光和固結磨料拋光。