SiC的共價鍵很強，致使燒結時的體積和晶界擴散速率相當低；SiC晶粒表面的SiO2薄膜，同時也起到了擴散勢壘的作用。因此不使用添加劑或高壓力，將SiC燒結到高的密度是相當困難的。Nadeau指出，不添加任何燒結助劑，純SiC只有在極高的溫度下才能燒結致密，于是不少人對SiC實行熱壓燒結工藝。關于添加燒結助劑對SiC進行熱壓燒結的報道已有許多。Alliegro等研究了B、Al、Ni、Fe、Cr等金屬添加物對SiC致密化的影響，發(fā)現(xiàn)Al和Fe是促進SiC熱壓燒結最有效的添加劑。F.F.Lange研究了添加不同量Al2O3對熱壓燒結SiC的性能影響，認為熱壓燒結致密是靠溶解--再沉淀機理。為了進一步降低燒結溫度，降低生產成本，世界各國投入大量的人力、物力、財力進行了深入的研究。熱壓燒結雖然能降低燒結溫度，并且具有較高的燒結密度和抗彎強度。但是熱壓燒結工藝只能制備形狀簡單的SiC部件，而且一次熱壓燒結過程中所制備的產品數量很小，因此不利于工業(yè)化生產。