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聯(lián)系金蒙新材料
- 國產(chǎn)碳化硅襯底龍頭山東天岳科創(chuàng)板上市[ 01-04 10:44 ]
- 12月30日，國內(nèi)碳化硅襯底材料企業(yè)山東天岳先進科技股份有限公司公告首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市。本次發(fā)行價格82.79元/股，預計募集資355757.7783萬元（約35.6億元）,高于此前招股意向書中披露的200000萬元(20億元)。 9月7日，天岳先進首發(fā)申請獲上交所上市委員會通過，擬募集資金20億元主要用于碳化硅半導體材料項目，以提高公司碳化硅襯底的產(chǎn)業(yè)化能力。招股書中提到，全球碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)市場快速發(fā)展并已迎來爆發(fā)期，國際巨頭紛紛加大投入實施擴產(chǎn)計劃，為了追趕與頭部企業(yè)之間在產(chǎn)能上的差距，山東
- 碳化硅反射鏡的制備與加工[ 01-03 08:52 ]
- 把一塊粗糙的、灰黑的碳化硅陶瓷塊鏡坯打造為光可鑒人的反射鏡，變化之大完全不亞于丑小鴨變天鵝。如何在得到較高表面質(zhì)量的同時實現(xiàn)快速加工，則是材料學界一直以來的研究重點。 1.鏡坯的制造 制備SiC反射鏡坯的工藝有許多種，除了熱壓燒結(jié)、氣相沉積外，最有應用價值的是反應燒結(jié)法，具有成本低和可實現(xiàn)凈尺寸燒結(jié)等優(yōu)點。 反應燒結(jié)法流程為：利用SiC粉制得所需形狀的坯體，然后將該坯體在Si氣氛下燒結(jié)。整個工藝中關(guān)鍵點有以下幾個：①燒結(jié)體中盡可能少氣孔和裂紋；③坯體具有輕量化結(jié)構(gòu)。 2.銑磨粗拋 剛燒
- 硼、碳和鋁燒結(jié)助劑對SiC陶瓷燒結(jié)的影響[ 12-30 14:42 ]
- 研究發(fā)現(xiàn)，SiC陶瓷燒結(jié)時可加入B、C、Al來實現(xiàn)致密化，B系與C系燒結(jié)助劑的添加能夠降低SiC晶界能與表面能的值，增強擴散的驅(qū)動力，而Al系燒結(jié)助劑可以以固溶的方式活化晶格，促進致密化進行。 對于無壓或熱壓燒結(jié)SiC，在不使用燒結(jié)助劑情況下基本難以實現(xiàn)致密燒結(jié)，但燒結(jié)助劑加入不當又會使材料性能惡化。SiC陶瓷的力學性能受游離C的分布影響很大，而B的分布又會使游離C的晶粒由等軸狀生長為長柱狀，起到界間強化的作用。另外，溫度的升高會促進基體晶粒的多邊形化，但過大的基體晶粒尺寸又會對晶界處游離C的生長產(chǎn)生抑制作用
- 氟化物燒結(jié)助劑對SiC陶瓷燒結(jié)的影響[ 12-30 14:39 ]
- 有研究表明，SiC陶瓷樣品的密度與熱導率隨YF3的加入顯示先增后減的變化，當加入5%的YF3時，密度與熱導率均達到最大。YF3作為燒結(jié)助劑可以提高SiC陶瓷的致密度和熱導率主要是由于YF3可以與SiO2反應生成第二相，同時達到除氧的目的，凈化SiC的晶格。而生成的液相也可以促進燒結(jié)的進行，降低燒結(jié)溫度。 密度與熱導率出現(xiàn)先增后減的變化，原因可能有如下兩點: 第一，添加適量燒結(jié)助劑形成的液相可以使陶瓷致密化程度提高。YF3添加量過少，不足以形成足夠的液相，而過量的YF3又會產(chǎn)生過多液相，粘度增加，均不利于
- 阻礙SiC陶瓷燒結(jié)的因素[ 12-30 14:34 ]
- SiC的構(gòu)成單元為Si與C原子比為1:1的正四面體，在SiC晶格中，Si與C之間的平均鍵能為300kJ/mol，共價鍵與離子鍵比值約為4:1，這使得其難以燒結(jié)成致密陶瓷。阻礙SiC陶瓷燒結(jié)的因素有以下兩個方面： ①熱力學方面 SiC的晶界能較高，粉體顆粒表面能相對較低，SiC陶瓷燒結(jié)推動力低，燒結(jié)難度增大。目前可通過引入燒結(jié)助劑、選用納米級原料細粉及施加外部壓力的方式來促進燒結(jié)。 ②動力學方面 SiC晶格原子間的鍵能使得物質(zhì)遷移所需能量高，物質(zhì)難以擴散，而蒸發(fā)—凝聚傳質(zhì)至少需要蒸
