推薦產(chǎn)品
聯(lián)系金蒙新材料
- 碳化硅陶瓷膜優(yōu)點介紹[ 11-30 11:07 ]
- 碳化硅陶瓷膜主要具有以下優(yōu)點： ♦化學穩(wěn)定性好，耐強酸強堿以及所有有機溶劑； ♦熱穩(wěn)定好，耐熱沖擊——在高溫條件下穩(wěn)定運行； ♦開口孔隙率高、通量大； ♦親水疏油性好——能高效進行油水分離； ♦膜結合強度高，耐磨性好。 SiC膜與其他膜的優(yōu)勢性能對照表 圖片來源：新型陶瓷公眾號
- 什么是碳化硅陶瓷膜？[ 11-30 09:34 ]
- 碳化硅陶瓷膜是一種新型的非氧化物無機膜，不僅具有機械強度高、孔徑分布集中、抗熱震性能佳、使用壽命長等特點，而且在膜通量、高溫穩(wěn)定性、以及耐強酸強堿等方面有著突出的優(yōu)勢，將其用于重金屬廢水的處理，是一種有益的嘗試。碳化硅（SiC）陶瓷膜分離技術被認為是近年來發(fā)展最迅速的膜分離新技術之一。 圖片來源：迪潔膜官網(wǎng) 碳化硅陶瓷膜（SIC）采用重結晶技術通過高溫燒結而成，其分離層、過渡層以及多孔支撐層全部為SiC材料，其過濾精度多為微濾和超濾。按膜結構不同一般分為管式膜和平板膜。管式膜由分離層、過渡層和支撐層組成，平
- SiC在煉鋼中的應用[ 11-29 15:10 ]
- SiC應用于脫氧合金化 SiC作為脫氧劑加入鋼水后生成低熔點的SiO2和CO氣體，CO上浮過程中起攪拌鋼液的作用，利于脫氧產(chǎn)物擴散和夾渣物上浮，使其反應更為徹底，脫氧效果好于硅鐵。根據(jù)出鋼前終點碳含量和硅含量，可確定SiC和硅鐵的添加量。SiC具有較好的增碳效果，冶煉碳含量較高的鋼種時，SiC除了可以增碳外，更具有特殊的作用，尤其是SiC中的S、N、H元素含量較低，有利于提高鋼液質(zhì)量，是其他增碳劑如石油焦、無煙煤無法相比的。 SiC作爐外精煉脫氧劑 SiC可以作為爐外精煉脫氧劑。精煉爐脫氧和電爐還原期脫氧
- 碳化硅的神奇之處，低品質(zhì)也有大用處！[ 11-29 15:07 ]
- 5G通信、新能源汽車等新興產(chǎn)業(yè)對碳化硅材料將產(chǎn)生巨大需求，大力發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)，可引領帶動原材料與設備兩個千億級產(chǎn)業(yè)。尤其是今年發(fā)布的“‘十四五’規(guī)劃和2035年遠景目標綱要”提出我國將加速推動以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體新材料新技術產(chǎn)業(yè)化進程，這無疑會進一步促進碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。 眾所周知，碳化硅有四大應用，即半導體、陶瓷、耐火材料、磨具！其中半導體對碳化硅的品質(zhì)要求是最高的，工藝也是最難的。陶瓷、耐火材料、磨具對碳化硅的純度、粒度、形貌等也有一定的品質(zhì)要求
- GaN和SiC材料的技術難點和特點[ 11-29 14:59 ]
- 目前，第三代半導體材料GaN和SiC已經(jīng)得到了市場認可和高度關注。在功率半導體的范疇，業(yè)內(nèi)人士認為，除了LED發(fā)光和射頻，第三代半導體材料SiC的技術難點主要在于襯底缺陷的控制。當前低缺陷密度的襯底材料主要是歐美及日本廠商生產(chǎn)，國內(nèi)想要突破還需要相當長的一段時間。 同時第三代半導體材料SiC工藝控制難度高、產(chǎn)品批次性波動大導致良率偏低以及主要材料供應被壟斷，甚至推導到市場價格一直居高不下，目前只限定在部分應用市場。但相比SiC更低損耗、更高效率以及高電壓耐高溫等一系列自身特點而言，第三代半導體材料SiC的應用已經(jīng)
