聯(lián)系金蒙新材料
- 2020年6月17日，山東省工業(yè)和信息化廳董廣山處長一行蒞臨山東金蒙新材料股份有限公司考察調(diào)研。[ 06-18 22:07 ]
- 2020年6月17日，山東省工業(yè)和信息化廳董廣山處長一行蒞臨山東金蒙新材料股份有限公司考察調(diào)研。
- 旋流器常用的耐磨材料[ 04-11 14:59 ]
- 碳化硅具有比氧化鋁高的硬度、耐磨性的特點，并且碳化硅的燒制方法與氧化鋁相似。因碳化硅易被氧化生成SiO2，故必須在真空或在還原氣氛下繞結。碳化硅的燒結溫度一般在1800℃以上，成本高，限制了其在重介質(zhì)旋流器上的應用。
- 碳化硅微粉除鐵主要工藝[ 04-11 14:45 ]
- 碳化硅微粉除鐵主要工藝 1.化學除鐵工藝——酸浸法 碳化硅微粉中的鐵雜質(zhì)主要以單質(zhì)鐵及其氧化物化鐵的形式存在。因為單質(zhì)鐵及其三氧化鐵均溶于硫酸、硝酸、鹽酸等，生成可溶性鐵鹽通過加水洗滌可以去除。茆福煒用鹽酸來除碳化硅微粉，通過比較鹽酸濃度及反應溫度對除鐵率的影響，最終得到鹽酸濃度在180g/L、反應溫度為80℃除鐵率最高，此條件下除鐵率可以達到93%左右。王春利以硫酸、鹽酸、氫氟酸中的一種或者兩種作為浸取液，實驗結果表明：對于中值粒徑在0.5μm左右的
- 碳化硅微粉去除碳雜質(zhì)主要工藝[ 04-10 17:00 ]
- 碳化硅微粉去除碳雜質(zhì)主要工藝 1.化學除碳工藝 1.1加熱氧化法 通過對碳化硅微粉進行高溫煅燒，使碳化硅微粉中的游離碳及石墨與空氣中的氧氣反應，以二氧化碳或者一氧化碳的形式脫離碳化硅，從而實現(xiàn)了除碳的目的。 付仲超等利用高溫煅燒除去碳化硅微粉中的碳雜質(zhì)。該方法的最佳工藝條件為煅燒溫度為900℃，煅燒時間為3h，碳化硅內(nèi)部的碳雜質(zhì)得到了完全去除。 宋本營等以空氣為氧化介質(zhì)進行碳化硅微粉與碳雜質(zhì)的分離。實驗結果表明：當氧化溫度在450～560℃之間，氧化時間在4h，雜質(zhì)碳的去除率可以達到98.6%～99.2%
- 認識晶須之王——碳化硅晶須[ 04-01 15:38 ]
