「一圖GET」一圖搞懂碳化硅——襯底篇[ 05-19 14:24 ]

 

蔚來下一代電動車將選用安森美最新SiC功率模塊[ 05-18 15:07 ]

近年來，新能源汽車遭遇的技術(shù)瓶頸主要是如何進(jìn)一步提升車輛的經(jīng)濟(jì)性。為此，全球汽車行業(yè)已向碳化硅（SiC）制成的芯片行業(yè)投資數(shù)十億美元，皆因業(yè)界認(rèn)為這類技術(shù)可以幫助他們制造高性能電動汽車。 近期，安森美（onsemi）宣布全球汽車創(chuàng)新企業(yè)蔚來（NIOInc.）為其下一代電動車（EV）選用安森美的最新VE-TracTMDirectSiC功率模塊。這種以碳化硅為基礎(chǔ)的功率模塊能使電動車的續(xù)航里程更遠(yuǎn)、能效更高，加速度也更快。兩家公司合作加快SiC技術(shù)商業(yè)化的進(jìn)程，為市場帶來配備先進(jìn)半導(dǎo)體材料的電動車。 據(jù)悉，

Soitec發(fā)布8英寸SiC襯底，拓展碳化硅產(chǎn)品組合[ 05-12 15:30 ]

據(jù)中國粉體網(wǎng)訊 Soitec近日發(fā)布了其首款200mm碳化硅SmartSiC™晶圓。這標(biāo)志著Soitec公司的碳化硅產(chǎn)品組合已拓展至150mm以上，其SmartSiC™晶圓的研發(fā)水準(zhǔn)再創(chuàng)新高，可滿足汽車市場不斷增長的需求。 首批200mmSmartSiC™襯底誕生于Soitec與CEA-Leti合作的襯底創(chuàng)新中心的先進(jìn)試驗線，該中心位于格勒諾布爾。該批200mmSmartSiC襯底將會在關(guān)鍵客戶中進(jìn)行首輪驗證，展示其質(zhì)量及性能。 Soitec于2022年3月

中泰恒創(chuàng)攜手中匯環(huán)球投入100億美元開展碳化硅項目[ 05-11 16:26 ]

近日，中泰恒創(chuàng)科技有限公司與中匯環(huán)球集團(tuán)有限公司就“拓展碳化硅SiC芯片市場”項目舉行簽約儀式。此次中泰恒創(chuàng)與中匯環(huán)球的合作主要聚焦于共同拓展碳化硅SiC芯片市場方向。 據(jù)悉，中匯環(huán)球為中泰恒創(chuàng)提供100億美元以上自主融合國際主權(quán)財富基金的參與和支持，主要支持中泰恒創(chuàng)在開發(fā)生產(chǎn)IGBT、SBD/MOSFET、BMS/PCS等新型產(chǎn)品，以及建立創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)產(chǎn)業(yè)園。 目前，中泰恒創(chuàng)已落地施行的半導(dǎo)體項目可分為三個階段，第一階段收益預(yù)計100億元，第二階段預(yù)計580億元，到第三階段完成，整

中科院物理研究所成功制備單一晶型8英寸SiC晶體[ 05-10 12:22 ]

近期，中科院物理研究所在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域取得重要進(jìn)展，研人員通過優(yōu)化生長工藝，進(jìn)一步解決了多型相變問題，持續(xù)改善晶體結(jié)晶質(zhì)量，成功生長出單一4H晶型的8英寸SiC晶體。 SiC器件的成本主要由襯底、外延、流片和封測等環(huán)節(jié)形成，襯底在SiC器件成本中占比高達(dá)約45%。進(jìn)一步擴(kuò)大SiC襯底尺寸，在單個襯底上增加器件的數(shù)量是降低成本的主要途徑。8英寸SiC襯底將比6英寸在成本降低上具有明顯優(yōu)勢。8英寸SiC晶體生長的難點在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解決大尺寸帶來的溫場不均勻、氣相原料分布和輸運(yùn)效率問題；另外