碳化硅功率器件相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)立項通過[ 03-18 15:54 ]

據(jù)中國粉體網(wǎng)訊 近期，由江蘇宏微科技有限公司、重慶大學(xué)聯(lián)合牽頭，泰克科技（中國）有限公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、北京海瑞克科技發(fā)展有限公司、廣州電網(wǎng)有限公司電力科學(xué)研究院等單位聯(lián)合提交的《碳化硅MOSFET開關(guān)運行條件下閾值穩(wěn)定性測試方法》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)提案，經(jīng)CASA標(biāo)準(zhǔn)化委員會（CASAS）管理委員會審核，根據(jù)《CASA管理和標(biāo)準(zhǔn)制修訂細(xì)則》，上述團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)提案立項通過，分配編號為：CASA024。

碳化硅聚焦環(huán)陶瓷材料[ 03-09 17:16 ]

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，等離子體刻蝕逐漸成為半導(dǎo)體制造工藝廣泛應(yīng)用的技術(shù)。等離子體刻蝕產(chǎn)生的等離子體具有很強(qiáng)的腐蝕性，在刻蝕晶圓的過程中也會對工藝腔腔體和腔體內(nèi)部件造成嚴(yán)重腐蝕，所以半導(dǎo)體加工設(shè)備中與等離子體接觸的部件需要有較好的耐等離子體刻蝕性能。 相對于有機(jī)和金屬材料，陶瓷材料一般都具有較好的耐物理和化學(xué)腐蝕性能以及很高的工作溫度，因而在半導(dǎo)體工業(yè)中，多種陶瓷材料已成為半導(dǎo)體單晶硅片制造工序和前道加工工序的設(shè)備核心部件制造材料，如SiC，AlN，Al2O3和Y2O3等。在等離子環(huán)境中陶瓷材料的選擇取決于核心

山西爍科晶體成功實現(xiàn)8英寸碳化硅晶體小批量量產(chǎn)[ 03-05 13:34 ]

近日，電科材料下屬山西爍科晶體有限公司（以下簡稱爍科公司）成功研制出8英寸碳化硅晶體，實現(xiàn)了8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn)。 由于碳化硅對溫度及壓力控制有著極其苛刻的要求，而且其本身具有的高硬度、高脆性、低斷裂韌性等特點，都使得大尺寸碳化硅單晶的制備及切割成為非常棘手的問題。 爍科公司專業(yè)深耕碳化硅材料領(lǐng)域，經(jīng)過刻苦攻關(guān)，于去年8月研制出8英寸碳化硅晶體，成功解決大尺寸單晶制備的重要難題。近日又再次取得重大突破，實現(xiàn)8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn)，向8英寸國產(chǎn)N型碳化硅拋光片的批量化生產(chǎn)邁出了關(guān)鍵一

晶盛機(jī)電年產(chǎn)40萬片碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項目3月開工[ 03-04 09:30 ]

近日，由浙江晶盛機(jī)電股份有限公司總投資50億元建設(shè)的“碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項目”落戶寧夏銀川。其中，一期預(yù)計3月開工建設(shè)，投資總額33.6億元，一期建成達(dá)產(chǎn)后預(yù)計年產(chǎn)6英寸碳化硅晶片40萬片。 晶盛機(jī)電主要圍繞硅、碳化硅、藍(lán)寶石三大主要半導(dǎo)體材料開展業(yè)務(wù)，具備全球最大的700Kg藍(lán)寶石生長能力。據(jù)2月7日募資投建碳化硅襯底晶片生產(chǎn)基地項目和年產(chǎn)80臺套半導(dǎo)體材料拋光及減薄設(shè)備生產(chǎn)制造項目的公告披露，晶盛機(jī)電已組建一條從原料合成-晶體生長-切磨拋加工的中試產(chǎn)線，6英寸碳化硅晶片已獲得客戶驗

中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所（電科二所）成功研制出首片碳化硅芯片[ 03-03 08:23 ]

近日，據(jù)中國日報報道，中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所（電科二所）成功研制出首片碳化硅芯片，下一步，電科二所將全力以赴推進(jìn)實驗室二期碳化硅芯片中試線和碳化硅器件智能封裝線的建設(shè)。 2021年9月，中國電科二所承擔(dān)山西太原某實驗室6英寸SiC芯片整線系統(tǒng)集成項目，該項目要求4個月內(nèi)完成整線設(shè)備評估、選型、采購、安裝、調(diào)試，并研制出第一片芯片。電科二所調(diào)動資源力量，在SiC激光剝離設(shè)備研制上取得突破性進(jìn)展，先后完成單機(jī)設(shè)備調(diào)試、碳化硅SBD整線工藝調(diào)試。 碳化硅硬度極高，傳統(tǒng)襯底加工工藝切割速度慢，晶體與切割